技术编号:6898978
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种雪崩光电二级管(APD),该雪崩光电二级管具有抑制边缘击穿的 雪崩倍增结构。本发明还涉及一种制造具有边缘击穿抑制的雪崩光电二极管中的雪崩倍 增结构的方法。背景技术具有分离的吸收层和倍增层的雪崩光电二级管结构(SAM-APDs)可以提供高保真 (即低噪声)电输出信号。为了在电信应用中使用,该APD被电偏压,从而使该电响 应与光功率基本成线性关系。尽管该APD要求较高的工作电压,但与PIN光电二极管 相比较,该APD的内部增益明显提高了接收器灵敏...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。