技术编号：6898991
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的方面一般地涉及半导体器件和这些半导体器件的制造的领域。更具体而言，本发明的实施例涉及用于刻蚀先进图案膜(APF)的方 法和设备。背景技术随着计算机变得越来越快速和强大，使这些计算机运行的半导体器件 也变得更加小和复杂。许多现代的半导体器件由CMOS (互补金属氧化物 半导体)晶体管和电容制成，其中CMOS晶体管通常包括源极、漏极和栅 极。栅极通常被称作栅层叠，因为它可以包括数个部件，例如栅电机和下 层栅极电介质。侧壁间隔体(也称作间隔体或间隔层)可...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。