技术编号:6899430
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种,且特别是有关于一种以金属氧化物为有源层的。背景技术近年来,由于半导体工艺技术的进步,薄膜晶体管的制造越趋容易、快速。薄膜晶体管广泛应用于诸如电脑芯片、手机芯片或是薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal displayer, TFT LCD)等电子产品中。以薄膜晶体管液晶显示器为例,薄膜晶体管作为储存电容(storage capacitor)充电或^L电的开关。一般而言,薄膜晶体管依照有...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。