技术编号:6899509
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有在绝缘表面上设置有半导体层的所谓的SOI (绝缘体上硅;Silicon on Insulator)结构的SOI衬底的制造方法及具有SOI结构的半导体 装置的制造方法。背景技术目前正在开发使用被称为绝缘体上硅片(下面也称为SOI)的半导体衬底 的集成电路,该半导体衬底在绝缘表面上设置有较薄的单晶半导体层而代替将 单晶半导体锭切成薄片来制造的硅片。使用SOI衬底的集成电路因为使晶体管 的漏极和衬底之间的寄生电容降低而提高集成电路的性能而引人注目。...
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