技术编号:6899793
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体器件的方法,更M地,涉及一种使用无电镀制造 具有均匀涂层厚度的半导体器件的方法以及由此制造的器件。背景技术通常,电镀和无电镀可用于在衬底上沉积材料层,例如导电层。电镀通常包括将目##底暴露到含金属溶液,该含金属溶液中金属离子溶解在酸中,通过i^/口电 势进行ii^反应以将金属离子转变成衬底上的金属层。例如,衬底可以〉'i/v到含金 属溶液中,同时将其作为电路的阴招^i^接。阴极可连接到电源的第一极,并将连 接到电源相反极的阳相ife...
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