技术编号：6899911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种非易失性存储器装置，特别是关于快闪存储单元及 制造闪存装置的方法。背景技术闪存是包含将电荷储存于场效晶体管信道与栅极之间的存储单元，由 于所储存的电荷会影响晶体管的阈值电压，故阈值电压的变化可用来表示 数据。浮动栅极存储单元是一种被广泛使用的电荷储存存储单元，于浮动栅 极存储单元中，由导电材料(如导电型态多晶硅)组成的栅极被形成于隧穿 介电质上，而多晶硅间介电质被形成于浮动栅极上，以将其与存储单元的 字线或控制栅极分隔开。尽管该技术的使用已...
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