技术编号：6900070
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种积累层控制的晶闸管，属于半导体功率器件。 背景技术近些年来，绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,艮卩IGBT)由于结合 了MOSFET的驱动电路简单、开关速度高和双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低的优 点，应用范围越来越广。但是，绝缘栅双极型晶体管在高压应用时正向导通压降将会变得很 大，这主要是由于高压应用时N—基区很厚，在接近发射极一侧的轻掺杂N.基区得不到有效的 电导调制。而在栅控晶闸管器件中...
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