具有沟槽栅极结构的半导体器件的制作方法技术资料下载

技术编号:6900231

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本发明涉及一种半导体器件,更具体地,涉及一种具有沟槽栅极 结构的半导体器件。背景技术在具有条形沟槽栅极结构的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)中,雪崩电阻(avalanche resistance)受P+基极接触区域 的宽度、间隔和总面积的影响。P+基极接触区域的间隔越窄,则雪崩电 阻增加越多。另一方面,由于沟道区域下降,因此导通电阻(Ron)增 加,其中导通电阻(Ron)是垂直MOSFET的性能指数中的一个。因 此,需要实现增加雪崩电阻,...
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