技术编号:6900642
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体工艺方法,特别是涉及一种可以在兼顾抗蚀刻 能力的情况下提升解析度,并且可以避免光刻工艺中光反射效应的图案化 的方法。背景技术随着半导体元件的关键尺寸(critical dimension; CD)日渐缩小,对光 刻工艺的解析度(re s o 1 u t i on)的要求也愈来愈高。光刻工艺的解析度跟光 刻胶的厚度有关, 一般而言,解析度会随着光刻胶厚度的减少而增加。然 而,由于光刻胶的厚度必须足够厚才具有足够的抗蚀刻能力,因此无法直接 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。