技术编号:6900714
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有绝缘栅型开关元件的高耐压半导体开关元件,特别 地涉及一种具有因过电流保护开关元件的过电流保护功能的高耐压半导体开 关元件。背景技术附图说明图18 (a)中示出了常规的横型绝缘栅型双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor以下称为IGBT)的构造。图18 (a)是现有的IGBTIOO 的俯视图,图18 (b)及(c)分别是图18 (a)中的A-A'线及B-B'线的剖 面图。在图18 (a) (c)所示的横...
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