技术编号：6900794
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用二氧化碳喷雾流选择性除去在晶片、集成电路、模板(mask)等基材的“剥离”(lift off)过程中聚集的金属膜层的方法。背景技术 在集成电路的加工过程以及其它过程中，在基材上形成图案导体层的常见方法是这样一个过程通常包括将一个光刻胶层沉积到已制成图案的基材上，以使光刻胶覆盖无导体材料涂层的基材部分。通常对光刻胶层进行曝光和显影，以使在金属层覆盖整个表面时，沉积于光刻胶层上部的金属层部分与直接沉积到基材上的金属层(导体部分)是不连续的。这类不...
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