技术编号：6900911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过对两片由选自半导体材料的材料制成的衬底进行直 接晶片键合从而制造衬底的方法，由此获得的最终结构特别用于电子、 光学、光伏或光电子学领域的用途。更确切地说，该最终结构是一种绝缘体上半导体(SeOI)，更具体而 言是一种SOI (绝缘体上硅)衬底，其特征在于具有特别薄(小于50nm) 的隐埋绝缘体。在所述薄绝缘体应当是氧化物的情况下，所述衬底是所 谓的UTBOX (超薄隐埋氧化物)型。该最终结构如下获得，即，将所谓 的"供体"衬底直接晶片键合到所...
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