技术编号:6900983
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于氮化物半导体,尤其涉及一种制备无裂氮化物半导体 碎于底的方法。 背景技术以GaN为代表的GaN基氮化物半导体(包括GaN、 AlGaN、 InGaN等)具有 较宽的直接带隙,同时还具有具有击穿电压高、饱和电子漂移速率高、化学及 热稳定性好等特点,因而其在蓝、绿光及紫外发光二极管、激光二极管、紫外 探测器以及高温、高频、高功率等恶劣环境下工作的半导体器件等方面具有广 泛的应用前景。其中研究较多具有重大应用前景的GaN基器件有GaN基LED、 LD、...
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