技术编号:6901160
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别地涉及电流可以控 制、电流密度能够最佳化、且可以高亮度化的。背景技术为了将发光二极管(LED Light Emitting Diode)高亮度化,作为光 的反射层,提出有在基板和由多量子阱(MQW Multi-Quantum Well)层构成的活性层之间形成金属反射层的构造。作为形成这样的金属反射层的 方法,例如公开有发光二极管层的基板的晶片接合(wafer bonding)(粘贴) 技术(例如,参照专利文献1和专利文献2)。另一方面,关于...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。