技术编号:6901186
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造,并且更具体地涉及在半导体器件中制造 凹陷栅极的方法。背景技术在半导体器件的制造中,平面栅极形成方法用于在平面有源区上形成 栅极。然而,由于图案尺寸减小导致沟道长度减小,并且由于衬底的离子 注入掺杂浓度增加导致电场增加,因此导致结漏电流。这4吏得难以获得器 件的刷新(refresh )特性。为解决上述限制,已经提出三维凹陷栅极工艺作为替代的栅极形成方 法,该方法在蚀刻有源区之后形成初f极。凹陷栅极工艺使得能够增加沟道 长度并且降低离...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。