技术编号:6901258
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法,并且具体地涉及一种应用应力(stress)技术的半导体器件和一种制造这样的半导体器件 的方法。背景技术近年来关注一种称为应力技术的无需执行微制作即可实现高速的技术。 可以通过使用这一应力技术来提高载流子迁移率。例如提出如下技术,该技术用于通过使用晶格常数与Si衬底不同的锗化 硅(SiGe)层来形成p沟道MOS场效应晶体管(pMOS晶体管)的源极和 漏极在硅(SO衬底上方形成的部分,以及通过在沟道区域中产生...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。