技术编号:6901288
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。具有高击穿电压晶体管的半导体器件本发明涉及一种具有高击穿电压晶体管的半导体器件,特别涉及 用于电平移位的高击穿金属氧化物半导体场效应晶体管。通常,已经有人提出了高压集成电路(HVIC),其实现了不使用 光电耦合器的电平移位电路。例如,这种HVIC包括用于电平移位的 高击穿电压横向扩散的金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)。如所公 开的,例如,在对应JP-A-2006-313828的US2006/0249807中,在高 击穿电压LDMOS中,漏区位于中心,而...
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