技术编号:6901290
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于半导体结构以及用于形成且操作半导体结构的方法,且更具体言之,是关于快闪单元(flash cell)结构、阵列结构以及用于操作 快闪阵列(flash array)结构的方法。背景技术非易失性存储器(Non-volatile memory, NVM)指代即使在电力供应 自含有NVM单元的装置移除的情况下能够持续储存信息的半导体存储 器。NVM包含掩模只读存储器(Mask Read-Only Memory,屏蔽ROM)、 可编程只读存储器(Progr...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。