技术编号:6901311
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种通过移除顶角处的SiN线性结构来改 善STI凹槽的上角边缘厚度的方法。背景技术如图1所示,传统的浅沟渠隔离(shallow trench isolation, STI)制程即STI蚀 刻+SiN线性结构,在该制程中,作为线性结构的SiN薄层会延伸至顶角2处,在后续的厚层 硬式罩幕层SiN(hard mask SiN,HM SiN) 1去除过程中,磷酸会侵蚀这一薄层,热磷酸对SiN 和氧化物的蚀刻选择比很高,尤其是顶角2...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。