技术编号：6901312
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种防止因零件损坏而造成晶片蚀刻异常的方法。 背景技术目前广泛应用于半导体工艺上的蚀刻技术主要有两种一是湿式蚀刻，另一种是 干式蚀刻。本发明主要针对干式蚀刻，就是以等离子体来进行薄膜蚀刻的一种技术。 等离子体必须借助外界的能量来源才能产生，半导体工艺中最普遍采用的等离子 体源是射频等离子体源。其中射频功率的稳定是决定等离子体稳定的基本条件，射频功率 通过射频发生器输入到蚀刻机台，但是射频功率并没有100%输入到机台中，机...
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