技术编号:6901692
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包^^线的功率半"^^莫块,该母线为导电构件并JUW 到包^^'j如IGBT的功率半*元件的片状半"^ll^的两侧。背景技术广泛使用的功率半"!M^元件包括IGBT (绝^*恥欧晶体管),IEGT (注 入增强晶体管),以及MOS-FET (金属氧化物半"f^W效应晶体管)。功率 半科元件形成为类似片状形状。功率半科元件包括第一功率端子和在其主 表面上的控制端子,以;5Ut它的背表面上的第二功率端子。当功率半"H^元件 是IGBT元件时,第一...
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