技术编号:6901811
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在绝缘表面上设置单晶半导体层的SOI衬底的制造方法及半导体装置的制造方法。 背景技术目前正在开发使用被称为绝缘体上硅(下面也称为SOI)的半导体衬底的集成电路,该半导体衬底在绝缘表面上设置有较薄的单晶半导体层而代替将单晶半导体锭(ingot)切成薄片来制造的硅片。使用SOI 衬底的集成电路因为降低晶体管的漏极和衬底之间的寄生电容以提高 半导体集成电路的性能而引人注目。作为制造SOI衬底的方法,已知氢离子添加剥离法(例如参照专 利文献1)。在氢...
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