技术编号:6902244
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种。 背景技术随着所制造的半导体器件的尺寸越来越小,产生了多种寄生效应。这些 寄生效应成为半导体制造工艺中所要考虑的一些主要参数。同时,有源区的栅电极和隔离层之间的距离仍然是晶体管中的重要参 数。当距离减小时,由于有源区和隔离层的材料不同而造成的压力增加,会 导致沟道中的电子迁移率改变。图1是示出了用于检测晶体管特性的传统测试图案的剖视图。参见图l,隔离层io形成在半导体衬底ioo上,以限定有源区。栅电极20形成在有源区上,并且源极/漏极区3...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。