技术编号:6902247
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属/绝缘体/金属(MIM)结构的电容器的制造方法, 尤其涉及一种MIM结构的电容器的制造方法,其中该方法可防止在MIM结 构的电容器中进行图案化的时候,由于同时粘附在MIM电容器的侧壁上绝 缘层的副产品所引起的短路。背景技术通常,使用在半导体器件中的电容器根据结构大致划分为多晶硅(Poly) /绝缘体/多晶硅(PIP)电容器和MIM电容。根据半导体器件所需要的特性, 适当地选择和使用具有PIP或MIM结构的电容器。在使用无线频率的半导体器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。