技术编号:6902248
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别涉及根据由相变引起的 电阻值变化而非易失性存储信息的相变存储器。背景技术在相变存储器中,对由相变材料构成的存储单元通上引起非晶质化 的电流(非晶质化电流),从而利用电阻加热使相变材料融解,之后, 进行冷却,从而形成非晶质状态,此外,对相变材料通上引起结晶化的 电流(结晶化电流),从而利用电阻加热对相变材料进行退火,成为结 晶状态。根据该相变材料的这两种状态,可以在存储单元中选择性地写入二 值信息,暂时相变后的状态在常温下不改变,所以可以非易...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。