技术编号:6902279
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图<象 传感器,更具体地,涉及一种能够防止水渗透的CMOS图像传感器 及其制造方法。背景技术通常,图像传感器指的是利用半导体的感光性将光学信号转换 为电信号的器件。可以将图像传感器广泛地分为电荷耦合器件 (CCD)图像传感器或互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感 器。在CCD中,将光学信号转换为电信号的多个光电二极管被布 置成矩形。CCD还包括多个垂直CCD (VCCD)、多个水平CCD (HC...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。