技术编号:6902282
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电源元件,更确切地说,涉及为这些元件提供高击穿电压的外围结构。更确切地说,本发明针对“四层”元件,比如具有井型结构的可控硅整流器或三端双向可控硅开关。背景技术 附图说明图1为极为简化的剖面图,显示了由轻微掺杂的N型基底1形成的一个井型可控硅整流器结构。该可控硅整流器由P型绝缘壁2定界。后部表面均匀覆盖着P型层3。在前部表面一侧,在P型井4中,有一个强烈掺杂的N型区域5,形成了可控硅整流器的阴极。在层4形成一片电极(未显示),并形成可控硅整流器的栅...
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