技术编号：6902435
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用由含有碳和氟的化合物形成的气体，对基板表面 进行蚀刻的。背景技术在半导体器件制造工序中，有利用等离子体进行蚀刻的步骤。该 蚀刻步骤，根据应该蚀刻的膜和衬底膜的种类，设定处理气体等处理 条件。例如，为了蚀刻作为形成绝缘膜的含硅和氧的膜即SiOj莫(氧 化硅膜)和SiCOH膜(氢氧碳化硅膜)，将含有C (碳)和F (氟)的 气体等离子体化，利用CF系或CHF系的原子团，与Si02或SiCOH 反应而除去。举一个具体例子为了在作为绝缘膜的Si02膜...
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