技术编号:6902487
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及 一 种其中利用电阻抗根据磁化方向而变化的磁阻抗 效应的薄膜磁存储器元件集成于衬底之上的半导体器件。背景技术正在关注MRAM (磁随机存取存储器)作为能够以低功耗执行 高速操作的非易失性RAM (随机存取存储器)。MRAM是一种利 用电阻抗根据磁化方向而变化的磁阻抗效应的薄膜磁存储器器件。 在MRAM中, 一般使用TMR (隧穿磁阻)元件作为磁阻元件。TMR元件是具有隧道结式结构的磁阻元件,在该结构中薄的绝 缘层夹入由铁磁薄膜制成的固定磁层与自由...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。