技术编号：6902530
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属氧化物半导体(MOS)器件及其制造方法。 背景技术功率MOS器件通常在电子电路中使用。取决于应用，可能期待 不同的器件特性。 一个示例性应用是DC-DC转换器，其包括一个功 率MOS器件作为同步整流器(也称为低端FET),和另一个功率 MOS器件作为控制开关(也称为高端FET)。低端FET通常要求较 小的导通电阻，以便获得较好的功率开关效率。高端FET通常要求 较小的栅极电容，以获得快速开关和良好性能。晶体管的导通电阻(Rds。n)值通常与沟...
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