技术编号:6902754
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及垂直的氮化镓基发光二极管(在下文中,称为"垂 直的GaN基LED")及其制造方法,其可以增强LED的可靠性。背景技术通常,氮化物基半导体LED生长在蓝宝石村底(基片)上, 但是这种蓝宝石衬底是刚性非导体,并具有较差的导热性。因此, 在通过缩小氮化物基半导体LED的尺寸或者通过改善光学能量和 芯片性能来降低制造成本存在局限性。尤其是,由于使用高电流是 获得高能量LED的关键,因此解决LED的热沉问题非常重要。为了解决这个问题,已经提出有使用垂直的氮...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。