技术编号：6902898
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有超级结的半导体器件。 背景技术近年来，在功率应用中使用的半导体器件领域中出现了一种半导体器 件。这种垂直半导体器件使人们能够既提高击穿电压又能降低导通状态电阻，其具有一PN柱层，起到作为漂移层的超级结(SJ)的作用。在下文中 将把这种半导体器件縮写为SJ-M0S晶体管。例如，在JP-A-2004-72068 (即 专利文献l)中公开了这种SJ-MOS晶体管。图22A和图22B为示意性示出常规的典型SJ-M0S晶体管90的截面图。 图22A...
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