技术编号：6903034
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，且尤其涉及一种具有电感器的半导 体器件。背景技术在半导体衬底上混合安装诸如NOS晶体管的有源元件和诸如电感 器的无源元件可能引发器件当中的噪声影响的问题。日本专利特开 2005-86084号公布和美国专利5936299号公开了分别设有由杂质扩散 层构成的保护环的构造，所述杂质扩散层通过将P型或N型杂质注入 到半导体衬底中以便围绕电感器而形成，旨在防止电感器的特性受诸如NOS晶体管的其它电路元件所产生的噪声影响。存在一种公知技术，即...
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