技术编号:6903133
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于雪崩光电二极管,特别是用于提高量产性的技术。 背景技术包括上述雪崩光电二极管在内,实际使用的二极管的结构都是将 p、 n导电型中的任一种导电型作为选择区域的具有长期可靠性的平面 型结构。特别是用于光通信的、使用了对InP进行晶格匹配的化合物 半导体的二极管中,作为上述选择区域使用将Zn作为p导电型杂质 扩散到导电性低的InP中的p型导电区域。而且,雪崩光电二极管中, 为了防止电场集中到上述p型导电区域周围所引起的、被称为"边缘击 穿"的局部电压...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。