技术编号:6903388
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及红外探测器制备工艺参数优化研究技术,特别涉及光伏型红外 探测器以。 背景技术以碲镉汞(MCT)薄膜材料为基础的光伏型红外探测器性能的优化研究, 其关键是制备高性能碲镉汞p-n结。所述的碲镉汞薄膜因具有高吸收系数和高量 子效率,在MCT的三元合金体系中,可以通过调节镉组分值而获得不同的禁带 等突出优点,现已成为民用和军事上制备红外探测器的重要材料。光伏型红外 探测器性能优劣取决于器件单元的零偏压电阻(Ro)值与探测器单元p-n结面积 (A)两者乘积...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。