技术编号：6903651
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及相变半导体器件的制造方法及相变半导体器件。 背景技术具有如锗(Ge)、硒(Se)、碲(Sb)、铋(Bi)等元素构成的合金型固态相变材料，逐 渐作为开关材料被用到半导体器件中。固态相变材料至少存在两种不同的固态状态。最极 端的两种状态能够被简单地分为非晶态和结晶态。在这两种状态之间还有其他更不容易辨 别的状态。非晶态具有无序的原子结构，而结晶状态通常是多晶。固态相变材料各种状态 具有完全不同的电学性质。在非晶态下，固态...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。