技术编号:6903801
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种金属氧化物半导体场效应晶体管,特别是有关于一种具有沟渠结构的功率金属氧化物半导体场效应晶体管。背景技术 双扩散晶体管(double diffused MOS,DMOS)是一种金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET),其利用扩散来形成晶体管区域。双扩散晶体管通常被用来作为用于高电压的功率集成电路中的功率晶体管,在低顺向压降的要求下,提供较...
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