技术编号:6903834
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别涉及CMOS图像传感器中的层间介电层、互连结 构及其制造方法。背景技术在半导体工业中,互连结构用于提供在IC芯片上的器件和整个封装之间的布线, 在该技术中,首先在半导体衬底表面形成例如场效应晶体管(FET)的器件,然后在后道工 艺(BE0L, back-end-of-line)中形成互连结构。通常的互连结构包括至少一种介电材料, 其中嵌有过孔和/或线路形式的金属图形。 现有技术公开了一种半导体器件的后道工艺,参照图1所示,包括提供半导...
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