技术编号:6903851
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及消除半导体器件表面缺陷的方法及半导体器件。 背景技术目前在半导体工艺制程中,元器件的特征尺寸越来越小,所以,相应的对半导体的 工艺要求也越来越高,其中,工艺过程中的杂质的控制是控制器件良率很关键的一个因素, 是半导体工艺制程面临的很大的挑战。 在集成电路制造工艺中,多晶硅薄膜具有非常重要的作用。在CM0S电路中,用重掺杂的多晶硅代替金属铝,作为MOS晶体管的栅极材料,可实现源、漏、栅自动排列,极大地减小了米勒(Miller)电...
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