技术编号:6903888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造领域,尤其涉及。背景技术晶体管按功率耗散能力大小可分为小功率管、中功率管、大功率管。按工作频率的 高低可分为低频管、高频管、微波管。按制造工艺又可分为合金管、合金扩散管、台式管、外 延平面管。合金管的基区宽度和结电容都较大,频率性能差,一般仅用于低频电路。合金扩 散管的基区由扩散形成,基区较薄,基区杂质分布所形成的内建场能加速少数载流子渡越, 因此它的频率特性较好,可用于高频范围。外延平面管的基区和发射区都可用扩散或离子 注入工艺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。