技术编号:6903990
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种。背景技术半导体集成电路芯片的工艺制作利用批量处理技术,在同一硅衬底上形成大量各 种类型的复杂器件,并将其互相连接以具有完整的电子功能。随着超大规模集成电路的迅 速发展,芯片的集成度越来越高,元器件的尺寸越来越小,因器件的高密度、小尺寸引发的 各种效应对半导体工艺制作结果的影响也日益突出。 以轻掺杂漏极(LDD, Light-Doped Drain)的形成为例。图1为说明现有的轻掺 杂漏区的形成方法的器件剖面示意图,如图1...
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