技术编号:6904116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,并且尤其是包括场效应晶体管的 。背景技术在制造半导体装置的方法中,金属镶嵌工艺 一般作为形成布线的方法。 在金属镶嵌工艺中,例如,在衬底上的绝缘膜上形成栅极电极的沟槽,并且沉积导电材料填满栅极电极沟槽,然后通过CMP (化学机械抛光)将 沟槽外的导电材料移除,在栅极电极的沟槽内保留导电材料以形成布线。MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管;此后称为"MOS晶体管") 是半导体装置的基本元件,随着半导体装置微型化的发展以及集成度的增 力口...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。