技术编号:6904216
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,尤其涉及一种提供有金属绝缘体半 导体场效应晶体管(MISFET)的半导体器件。背景技术需要高度集成的半导体电路,并且已减小了元件中的间隔和它们 之间的间隔。目前,对于先进的CMOS晶体管而言,由二氧化硅或氮氧化硅组 成的栅极绝缘膜的最薄的膜厚约为2nm。当进一步减小膜厚时,通过 直接隧穿机理增加了栅极漏电流并且增加了电功耗。此外,这种薄的 二氧化硅膜或氮氧化硅膜由数个原子层组成,所以对于这种具有高一 致性的薄膜的批量生产而言需要严...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。