技术编号:6904986
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电器件领域,具体是一种功率型发光二极管。 背景技术III-V族材料的GaAlInP、 InGaN等的发光二极管(LED)技术成熟,并进 行工业化生产及其进行广泛的应用。在功率型LED (1W以上功率的LED)的 制造过程中,已经有许多专利技术及其对应得产品。提高功率型LED出光效率 的方法主要侧重在增加LED的内量子效率,也就是提高p型层的性能,以及 InGaN量子阱的发光效率等。目前,存在的问题仅注重内量子效率,而忽略了 外量子效率、器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。