技术编号：6905197
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化合物半导体材料、器件，尤其涉及一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法。 背景技术氧化锌(Zn0)是一种II-VI族直接带隙的新型多功能化合物半导体材料，被称为 第三代宽禁带半导体材料。Zn0晶体为纤锌矿结构，禁带宽度约为3. 37eV，激子束缚能约为 60meV。Zn0具备半导体、光电、压电、热电、气敏和透明导电等特性，在传感、声、光、电等诸多 领域有着广阔的潜在应用价值。 近年来，对ZnO材料和器件的研究受到广泛关注。研究范围涵盖了 Zn...
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