技术编号:6905248
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路加工制造,特别涉及一种半导体制造工艺的灰化处理方法。 背景技术在65nm半导体工艺中,由于器件线度很小,常采用多晶硅预掺杂过程(Poly pre-doping process)来构造PN结。多次预掺杂过程会在晶圆表面形成掺杂物的残留杂 质,该杂质包含掺杂剩余的单质磷,以及掺杂过程中生成的磷化物。因此需要在多晶硅预掺 杂过程之后进行灰化处理过程,用以去除晶圆表面的杂质。在灰化处理之后,首先采用湿法 蚀刻制程,然后再用多晶硅光刻制程制造出半导...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。