技术编号：6905256
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种。背景技术随着半导体集成电路制造工艺的日益进步，半导体器件的尺寸越来越小，集成度 不断提高，对制造工艺的要求也越来越高。 在半导体器件的制造工艺中，业界普遍使用浅沟槽隔离结构作为器件之间的隔离 结构。典型的浅沟槽隔离结构包括形成于衬底的沟槽以及填充于沟槽中的绝缘介质。其中， 绝缘介质一般为氧化硅。 浅沟槽隔离结构的制造工艺一般如下通过光刻、刻蚀等工艺在衬底上形成宽度 以及深度满足器件隔离需要的沟槽，然后通过填充工艺例如化学...
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