技术编号:6905264
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种磁电阻材料,具体涉及基于NiFe磁性层的各向异性磁电阻材料。 背景技术各向异性磁电阻(AMR)是指其中电流与磁化强度相对取向改变而导致铁磁金属 电阻率发生变化。由于AMR薄膜具有高的磁场灵敏度,因此被广泛应用于制作各种磁场传 感器。在各种AMR薄膜材料中,NiFe(其中Ni,Fe重量比为80+S 20-S , | S |《10)具有较大的磁电阻值,较低的磁晶各向异性能和矫顽力,较小的磁致伸縮效应等,因此成为综 合性能最佳并且应用最广泛的...
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