技术编号:6905472
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及半导体器件,特别是基于宽禁带化合物半导体材 料异质结结构的槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管,可作为大功率系统的基本器 件。背景技术当今世界,功率半导体器件如功率整流器和功率开关已广泛应用于开关电源、汽车 电子、工业控制、无线电通讯、电机控制等众多功率领域。功率半导体器件必须具备以 下两个重要的性能,即高击穿电压和低导通电阻。Baliga优值特性反映了在功率半导体 器件中存在击穿电压与导通电阻之间的折衷关系,为了满足高击穿电压和低...
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