技术编号:6905685
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的制造方法,更具体说是涉及一种功率半导体开关器件的 制造方法。背景技术-绝缘栅双极晶体管(IGBT)的发明带来了电力电子技术的变革,开启了电力电子技术 的高频时代,为节约能源,节约材料和减小电力电子设备体积、重量等做出了巨大贡献。 IGBT经过近30年的发展,综合性能不断进步。表征不同IGBT产品综合性能改善的重要 方式之一,是描绘出代表器件静态功耗的通态电压FcEsat与代表动态功耗的关断能耗五。ff 之间的折中曲线。不同IGBT...
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